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温度补偿晶体振荡器
采用高精度温度补偿模块，生成补偿电压，使晶振温度特性指标达到10-6~10-7量级。温补晶振功耗低、体积小、集成化，不需预热时间，主要应用于各类测试设备、通信设备、移动设备。
产品描述
TCXO系列 | 频率范围(MHz) | 电源电压 | 温度稳定度 | 工作温度范围 | 频率准确度 | 输出波形 | 长(mm) | 宽(mm) |
T4 | 5~170MHz | 3.3V/5V | ±0.1~±2.5PPM | -40~85℃ | ±0.5PPM~±1PPM | Sine wave/LVCMOS | 20.5 | 13 |
T8 | 5~60MHz | 3.3V/5V | ±0.1~±2.5PPM | -40~85℃ | ±0.5PPM~±1PPM | Sine wave/LVCMOS | 13 | 13 |
T9 | 5~170MHz | 3.3V/5V | ±1~±2.5PPM | -40~85℃ | ±0.5PPM~±2PPM | Sine wave/LVCMOS | 9 | 14 |
T7 | 5~60MHz | 3.3V/5V | ±0.2~±2.5PPM | -40~85℃ | ±0.5PPM~±2PPM | CS/LVCMOS | 7 | 5 |
T5 | 10~52MHz | 3.3V/5V | ±0.2~±2.5PPM | -40~85℃ | ±0.5PPM~±2PPM | CS/LVCMOS | 5 | 3.2 |
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